512 Mbit DRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Reel
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SDRAM 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M16SB Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 64M x 8, 1.8V, 400Mhz, 60-ball FBGA, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C64M8D2 Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 64M x 8, 1.8V, 400Mhz, 60-ball FBGA, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C64M8D2 Reel
Alliance Memory DRAM 512Mb 64Mx8 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C64M8SC Reel
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.080
Mult.: 1.080

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C DDR1 Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel