512 Mbit DRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
ISSI DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320E Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16320C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS Nicht auf Lager
Min.: 189
Mult.: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32160D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, IT Nicht auf Lager
Min.: 189
Mult.: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R32160D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, T&R Nicht auf Lager
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32160D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht auf Lager
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400F
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht auf Lager
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16320D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht auf Lager
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16320D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS Nicht auf Lager
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, 143Mhz 32Mx16 SDR SDRAM Nicht auf Lager
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16320D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16320D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS Nicht auf Lager
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16320D Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Automotive Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D2A Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C32M16D2A Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C32M16D2A Reel
Alliance Memory DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SDRAM - DDR3L 512 Mbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 32 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C AS4C32M16D3L Reel
Alliance Memory DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SDRAM - DDR3L 512 Mbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 32 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C32M16D3L Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industriall Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 16 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M32MSA Reel
Alliance Memory DRAM 512m, 2.5V, 200Mhz 32M x 16 DDR1 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D1A Reel