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IS41LV16256C-35TLI

ISSI

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-S41LV16256C35TLI

Herst.- Nr.:

IS41LV16256C-35TLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 4M,3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IS41LV16256C-35TLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	EDO DRAM
Speichergröße:	4 Mbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-40
Organisation:	256 k x 16
Zugangszeit:	35 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	IS41LV16256C
Verpackung:	Tray
Marke:	ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	135
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	90 mA

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Datenblatt

IS41LV16256C-35TLI Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542319090
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Mobile LPDDR2 SDRAM

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