1 Gbit DRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 C Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 128M x 8, 1.8V, 60-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp A Die - Tray Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Tray
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3LB Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 E-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C AS4C64M16D3LB Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D3LB Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C64M16D2B Tray
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 C Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C64M16D2B Reel
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.200
Mult.: 2.200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.200
Mult.: 2.200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED