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IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BLL100B1LI
Price: 5.39 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-WVH8M8BLL100B1LI

Herst.- Nr.:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

Datenblatt:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	HyperRAM
Speichergröße:	64 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	100 MHz
Verpackung/Gehäuse:	TFGBA-24
Organisation:	8 M x 8
Zugangszeit:	40 ns
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	IS66WVH8M8BLL
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	35 mA
Handelsname:	HyperRAM
Gewicht pro Stück:	84 mg

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Datenblatt

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.