Bulk Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
AP Memory NRE-TI-RDL- APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
DRAM
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
ISSI DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
Infineon Technologies CYDP1049
Infineon Technologies IC-Entwicklungstools für Speicher Development Kit Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Memory IC Development Tools
Infineon Technologies CYDP1542
Infineon Technologies IC-Entwicklungstools für Speicher Development Kit Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Memory IC Development Tools
Infineon Technologies CYDP1543
Infineon Technologies IC-Entwicklungstools für Speicher Development Kit Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Memory IC Development Tools
Infineon Technologies CYDP1544
Infineon Technologies IC-Entwicklungstools für Speicher Development Kit Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Memory IC Development Tools
Infineon Technologies CYDP1545
Infineon Technologies IC-Entwicklungstools für Speicher Development Kit Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Memory IC Development Tools
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit