MoBL™ Asynchrone SRAMs

Die MoBL™ asynchronen SRAM-Bauteile von Cypress Semiconductor umfassen ein breites Portfolio mit Dichten von 64 KB bis 64 MB. Die MoBL SRAMs sind in Industriestandard-Spannungs-, Busbreiten- und Gehäuse-Optionen verfügbar. Die Bauteile verfügen über branchenführende (max.) Standby-Verlustleistungsspezifikationen. Die MoBL asynchronen SRAMs eignen sich hervorragend für batteriebetriebene und batteriegestützte Lösungen in verschiedenen Applikationssegmenten. Die MoBL SRAM-Bauteile sind in Industrie-, Automotive- und strahlungsgehärteten Temperaturklassen erhältlich.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung

Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Rolle: 1.500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-32 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 128K x 16 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 1.8V 55ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 256K x 8 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 64Mb 3V 55ns 4M x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
Nein
16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000
Nein
16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000
Nein
4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000
Nein
16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800
Nein
16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray