SST26 Serial Quad I/O Flash Memory

Microchip Technology SST26 Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory devices feature low pin count, enhanced 4-bit multiplexed serial interface architecture, and up to a 350Mbit/sec. sustained burst data rate that provides performance exceeding typical parallel Flash Memory. These SQI Flash Memory devices boost performance while maintaining the compact form factor of standard serial devices. The SST26 SQI is manufactured with high-performance CMOS SuperFlash® Technology and significantly improves performance and reliability while lowering power consumption. This flash memory operates at frequencies reaching 80MHz, making it ideal for Bluetooth® headsets, optical disk drives, and GPS applications.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
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Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Max. aktiver Lesestrom
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Datenbus-Weite
Timing-Typ
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Microchip Technology NOR-Flash SQI Flash Memory 16Mb 1.8V
Datenblatt
5.925erwartet ab 30.06.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.300

SMD/SMT SOIC-8 16 Mbit 2.7 V 3.6 V 20 mA SPI 104 MHz 2 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology NOR-Flash 32Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V
Datenblatt
900erwartet ab 20.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.100

SMD/SMT SOIJ-8 32 Mbit 2.3 V 3.6 V 25 mA SPI 104 MHz 4 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology NOR-Flash 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory
Datenblatt
553erwartet ab 29.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 32 Mbit 2.7 V 3.6 V 20 mA SPI 104 MHz 4 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology NOR-Flash 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.100

SOIJ-8 SPI, SQI Reel, Cut Tape

Microchip Technology NOR-Flash 64Mbit SPI/SQI Flash 2.3V-3.6V, 105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SOIC-16 Reel
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

SOIC-8 SST26WF040B Reel
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 USON
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

UDFN-8 SST26WF080B Reel
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

SOIC-8 SST26WF080B Reel
Microchip Technology NOR-Flash 16Mbit SPI/SQI flash, 125C Industrial, 2.3V-3.6V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 294
Mult.: 98

SMD/SMT 16 Mbit 2.3 V 3.6 V 20 mA SPI 80 MHz 2 M x 8 8 bit - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology NOR-Flash 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT BGA-24 32 Mbit 2.7 V 3.6 V 20 mA SPI 104 MHz 4 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Tray
Microchip Technology NOR-Flash 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

TBGA-24 Tray
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 588
Mult.: 98

TDFN-S-8 SST26WF040B Tube
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 588
Mult.: 98

SMD/SMT SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology NOR-Flash 16Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 392
Mult.: 98

SMD/SMT WDFN-8 16 Mbit 2.7 V 3.6 V 25 mA SPI, SQI 104 MHz 4 k x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Microchip Technology NOR-Flash 16Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 2.100
Mult.: 2.100
: 2.100

SMD/SMT SOIJ-8 16 Mbit 2.7 V 3.6 V 25 mA SPI, SQI 104 MHz 4 k x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Microchip Technology NOR-Flash 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

TBGA-24 SPI, SQI Reel
Microchip Technology NOR-Flash 32Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SMD/SMT WDFN-8 32 Mbit 2.3 V 3.6 V 25 mA SPI 104 MHz 4 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Microchip Technology NOR-Flash 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

TBGA-24 Reel
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 588
Mult.: 98

TDFN-S-8 SST26WF040B Tube
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 100

SOIC-8 SST26WF040B Tube
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SMD/SMT TDFN-S-8 SST26WF040B 4 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 512 k x 8 8 bit - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 588
Mult.: 98

TDFN-S-8 SST26WF080B Tube
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 600
Mult.: 100

SOIC-8 SST26WF080B Tube
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SMD/SMT TDFN-S-8 SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology NOR-Flash 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

SMD/SMT SOIC-8 SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Reel