Excelon™ F-RAM (Ferroelectric RAM)

Cypress Semiconductor Excelon™ F-RAM (Ferroelectric RAM) ist ein F-RAM der nächsten Generation, der einen stromsparenden, geschäftskritischen nichtflüchtigen Speicher bietet. Die Excelon-Baureihe kombiniert einen extrem stromsparenden Betrieb mit Hochgeschwindigkeitsschnittstellen, sofortiger Nichtflüchtigkeit und einer uneingeschränkten Lese-/Schreibzyklusdauer. Deshalb ist der Excelon der ideale Datenprotokollierspeicher für tragbare Medizin-, Wearable-, IoT-Sensor- und Industrieapplikationen und Fahrzeuganwendungen. Es gibt drei verschiedene Excelon-Produktfamilien: Excelon-LP, Excelon-Ultra und Excelon-Auto.

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Infineon Technologies CY15V102QN-50LHXI
Infineon Technologies F-RAM FRAM
364erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 DFN-8 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C Tube
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

108 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

40 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

50 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.900
Mult.: 4.900

40 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

4 Mbit SPI 108 MHz 512 k x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B104 Reel
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

4 Mbit SPI 108 MHz 512 k x 8 SOIC-8 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C CY15V104 Reel
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

8 Mbit Quad SPI 108 MHz 1 M x 8 FBGA-24 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B104 Reel
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

8 Mbit SPI 50 MHz 1 M x 8 FBGA-24 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 SOIC-8 1.71 V 1.89 V - 40 C + 125 C CY15V102 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

8 Mbit SPI 50 MHz 1 M x 8 FBGA-24 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

16 Mbit SPI 20 MHz 2 M x 8 FBGA-24 1.71 V 1.89 V 0 C + 70 C Tray
Infineon Technologies F-RAM FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

16 Mbit SPI 40 MHz 2 M x 8 FBGA-24 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C Tray