S25FL512S FL-S NOR-Flash-Speicherbauteile

Die Cypress S25FL512S FL-S NOR-Flash-Speicherbauteile sind nichtflüchtige VIO VCC Flash-Speicherbauteile von 2,7 V bis 3,6 V. Diese Bauteile verwenden die 65-nm-MirrorBit-Technologie. Mit der Eclipse™-Architektur mit einem 512-Byte-Seitenprogrammierungs-Buffer ausgelegt. Der 512 Mb S25FL512S FL-S NOR ermöglicht Benutzern die Programmierung von bis zu 256 Wörtern (512 Bytes) in einem einzigen Betrieb. Dies führt zu einer schnelleren, effektiveren Programmierung und Löschung gegenüber SPI-Programmen oder Lösch-Algorithmen der früheren Generation. Das Bauteil verbindet sich über eine SPI mit einem Host-System und unterstützt einen herkömmlichen seriellen SPI-Einzelbit-Eingang und -Ausgang. Optionale serielle Zwei-Bit-Befehle (Dual-I/O oder DIO) und Vier-Bit-Befehle (Quad-I/O oder QIO). Der S25FL512S FL-S NOR bietet Unterstützung für Lesebefehle mit doppelter Datenrate für SIO, DIO und QIO, die Adressen übertragen. 

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Max. aktiver Lesestrom
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Datenbus-Weite
Timing-Typ
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.380
Mult.: 3.380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.690
Mult.: 1.690

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.380
Mult.: 3.380

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.380
Mult.: 3.380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
338erwartet ab 06.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.400
Mult.: 2.400

SMD/SMT S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.450
Mult.: 1.450
: 1.450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.400
Mult.: 2.400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512M FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.450
Mult.: 1.450
: 1.450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.450
Mult.: 1.450
: 1.450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.450
Mult.: 1.450
: 1.450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.450
Mult.: 1.450
: 1.450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash 512-MBIT CMOS 3.0 V 65NM FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.380
Mult.: 3.380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray