HBL Speicher und Datenspeicherung

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Menge RoHS
ISSI DRAM 4G, 1.5V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3
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Nicht auf Lager
Min.: 220
Mult.: 220

ISSI DRAM 2G, 1.35V, 1333Mhz DDR3
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Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 2G, 1.35V, 1333Mhz DDR3 SDRAM
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Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3
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Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3L
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Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3L
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Nicht auf Lager
Min.: 220
Mult.: 220

ISSI DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3
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Nicht auf Lager
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
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Min.: 242
Mult.: 242

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,2 CS, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS, 48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500


ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM 4G, 1.5V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3
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Nicht auf Lager
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,2 CS, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480


ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3, 256Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
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Nicht auf Lager
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
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Nicht auf Lager
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190