Speicher und Datenspeicherung

Arten von Speicher und Datenspeicherung
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ATP Electronics eMMC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 760
Mult.: 760
ISSI SRAM 2Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,64K x 32,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

ATP Electronics eMMC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 760
Mult.: 760
ATP Electronics Solid State Drive - SSD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 760
Mult.: 760
ATP Electronics Solid State Drive - SSD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 760
Mult.: 760
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ATP Electronics eMMC ATP TLC eMMC V5.1 153b C-Temp - 10GB (pSLC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 760
Mult.: 760
ATP Electronics eMMC ATP TLC eMMC V5.1 153b I-Temp - 21GB (pSLC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 760
Mult.: 760
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000