8 Mbit Speicher-ICs

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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT mBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel