8 Mbit Speicher-ICs

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GigaDevice GD25Q80EWJGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 8 Mbit Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD25WD80EEIGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 8 Mbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD80EKEGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 8 Mbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD80EKIGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 8 Mbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD80ESIGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

NOR Flash SMD/SMT 8 Mbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD80ETIGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 8 Mbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WQ80EEEGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 8 Mbit Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD25WQ80ETEGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 8 Mbit Dual/Quad SPI, SPI
Microchip Technology SST25WF080BT-40E/NP
Microchip Technology NOR-Flash 1.8V, 8Mbit SPI Flash, 125C, 8-UDFN Nicht auf Lager
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 8 Mbit SPI
Infineon Technologies CY62157G18-55BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY62157G30-45ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY62157G30-45ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY62157GE30-45ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY62158G30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY62158G30-45ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY62157GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 8M L-Power, 2.7-3.6V 512k x 16, 48pin Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
SRAM SMD/SMT TSOP-I-48 8 Mbit Parallel
Avalanche Technology MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MRAM SMD/SMT WSON-8 8 Mbit QSPI
Avalanche Technology MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1.200
Mult.: 300

MRAM SMD/SMT SOIC-8 8 Mbit QSPI

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSSOP-44 8 Mbit Serial

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSSOP-44 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial