Renesas Electronics Speicher-ICs

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Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Renesas / Dialog NOR-Flash 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 7.840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 256 kbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 512 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 8.000
Mult.: 4.000
Rolle: 4.000

NOR Flash SMD/SMT 512 kbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 16 Mbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tray), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.710
Mult.: 570

NOR Flash SMD/SMT UDFN-8 16 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 16 Mbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.920
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 16 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tray), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.710
Mult.: 570

NOR Flash SMD/SMT UDFN-8 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-W 208mil (Tube), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 4.500
Mult.: 90

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Wide-8 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 128 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40C to 105C, SOIC-W 208mil (Tape & Reel), Quad Enabled (Single, Dual, Quad) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Wide-8 128 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 1 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 8.000
Mult.: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 1 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 7.840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 2 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 8.000
Mult.: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 7.840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 4 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 8.000
Mult.: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 2M 1.65V-4.4V SPI 70MHz IND TEMP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

NOR Flash
Renesas / Dialog NOR-Flash 256 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tape & Reel), DTR, Quad enabled (Single, Dual, Quad) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

NOR Flash SMD/SMT DFN-8 256 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 256 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tape & Reel), DTR, Single, Dual, Quad SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

NOR Flash SMD/SMT DFN-8 256 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 128 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40 C to 105 C, 16-pin SOIC 300mil (Tape & Reel), Single, Dual, Quad SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Rolle: 1.500

NOR Flash

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE,T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,COM.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel