R1RW0416DSB-2PI#D1

Name: Renesas Electronics R1RW0416DSB-2PI#D1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0416DSB2PID1
Price: 16.72 EUR
Availability: OutOfStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

968-R1RW0416DSB2PID1

Herst.- Nr.:

R1RW0416DSB-2PI#D1

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

SRAM ASYNC. 4M FAST SRAM 256K X16 PB-FREE

Datenblatt:

R1RW0416DSB-2PI#D1 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	256 k x 16
Zugangszeit:	12 ns
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsstrom - Max.:	130 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-44
Verpackung:	Tray
Marke:	Renesas Electronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Speichertyp:	SRAM
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Verpackung ab Werk:	135
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	High Speed

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Datenblatt

R1RW0416DSB-2PI#D1 Datenblatt

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TARIC:: 8542324500
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics asynchrone SRAMs basieren auf der leistungsstarken CMOS-Technologie mit hoher Zuverlässigkeit. Die Technologie und innovative Schaltungsdesign-Techniken bieten eine kostengünstige LÖSUNG für asynchrone Hochgeschwindigkeits-SRAM-Speicheranforderungen. Vollständig statische asynchrone Schaltungen erfordern keine Takte oder Aktualisieren für den Betrieb. Der Renesas liefert einen asynchronen SRAM in einem RoHS-6/6-compliant-Gehäuse (umweltfreundlich) mit Industriestandard-Gehäuseoptionen.