irf510 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
Datenblatt
1.269Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
Datenblatt
3.707Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
Datenblatt
Produkt-Kommentare
7.135Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
Datenblatt
Produkt-Kommentare
4.448Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
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802Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
Datenblatt
Nein
Si Tube
STMicroelectronics IRF510
STMicroelectronics MOSFETs Nicht verfügbar
Si N-Channel 1 Channel