MT53E512M32D1NP-046 WT:B

Micron
340-479119-TRAY
MT53E512M32D1NP-046 WT:B

Herst.:

Beschreibung:
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT

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Micron Technology
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - LPDDR4
16 Gbit
32 bit
2.133 GHz
WFBGA-200
512 M x 32
1.06 V
1.95 V
- 30 C
+ 85 C
Tray
Marke: Micron
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 1360
Unterkategorie: Memory & Data Storage
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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

LPDDR4 Speicher

Der LPDDR4 Speicher von Micron ist zur Behandlung von Problemen mit der Leistungsaufnahme in batteriebetriebenen Applikationen optimiert. Diese Speicherbauteile bieten eine um 33 % schnellere Spitzenbandbreite im Vergleich zu DDR4. Der LPDDR4 Speicher bietet einen 5-mal geringeren Stromverbrauch im Standby-Modus im Vergleich zum Standard-DRAM. Diese Speicherbauteile verfügen über ein Multi-Chip-Gehäuse (MCP) und Package-on-Package-Designs (PoP), die PCB-Platz sparen. Die LPDDR4 Speicherbauteile optimieren x16-, x32- und x64-Konfigurationen und bieten BOM-Einsparungen für bestimmte Applikationen. Der LPDDR4 Speicher kombinieren Leistung, Energie, Latenz und physischen Raum, wodurch sie energieeffizient sind. Diese LPDDR4 Speicherbauteile sind für Handsets, batteriebetriebene Applikationen und Ultra-Portables geeignet.