IRFP260 MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 6.544Auf Lager
3,37 €
2,11 €
1,71 €
1,39 €
1,23 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 22.949Auf Lager
3,41 €
1,73 €
1,44 €
1,22 €
1,21 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 200V 46A N-CH MOSFET 3.169Auf Lager
6,12 €
3,58 €
3,16 €
3,04 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 46 A 55 mOhms 20 V 2 V 230 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Nein
Si Through Hole TO-247-3 Tube

IXYS MOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 46 A 55 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube