IRFP260 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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3.980Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Datenblatt
24.308Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 200V 46A N-CH MOSFET
Datenblatt
4.294Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 46 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 230 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds
Datenblatt

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 46 A 55 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Datenblatt
Nein
Si Through Hole TO-247-3 Tube