BC846BPDW1T1G Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT 100mA 80V Dual Complementary
Datenblatt
64.211Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies BC846BPDW1T1G
Infineon Technologies Bipolartransistoren - BJT N/A
Si NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C

onsemi Bipolartransistoren - BJT SS DUAL GEN XSTR
Datenblatt
9.115Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 250 mV, 300 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolartransistoren - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
Datenblatt
231Auf Lager
153.000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolartransistoren - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
Datenblatt
30.000Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel