BC547 Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Datenblatt
19.671Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 4.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC547 Reel, Cut Tape
Central Semiconductor BC547B TIN/LEAD
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 50Vcbo 50 Vceo 800mA 625mW Trans
Datenblatt
1.538Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-92 NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 65 C + 150 C Bulk
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 100mA HFE/800
Datenblatt
9.316Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC547 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 100mA HFE/450
Datenblatt
20.880Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC547 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 100mA HFE/800
Datenblatt
22.561Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.930

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC547 Bulk
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 45V, 100mA, NPN
Datenblatt
37.420Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si Through Hole TO-92 NPN Single 100 mA 45 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC547 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 100mA HFE/450
Datenblatt
15.049Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 4.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC547 Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 100mA HFE/450
Datenblatt
16.639Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.930

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC547 Bulk
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92BK, 45V, 100mA, NPN
Datenblatt
4.661Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92BK NPN Single 100 mA 45 V 50 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC547 Bulk
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92BK, 45V, 100mA, NPN
Datenblatt
22.345Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92BK NPN Single 100 mA 45 V 50 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC547 Bulk
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 45V, 100mA, NPN
Datenblatt
5.800Auf Lager
20.000erwartet ab 23.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si Through Hole TO-92 NPN Single 100 mA 45 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC547 Ammo Pack
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 45V, 100mA, NPN
Datenblatt
7.560Auf Lager
4.000erwartet ab 13.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si Through Hole TO-92 NPN Single 100 mA 45 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC547 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 100mA
Datenblatt

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 250 mV 500 mW 300 MHz - 65 C + 150 C BC547 Bulk
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 30V 100mA HFE/450
Datenblatt
2.069Auf Lager
8.000erwartet ab 14.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 4.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 100 mA 30 V 30 V 5 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC548 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
Datenblatt
14.909Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 100 mA 45 V 50 V 6 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC547 Bulk