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B82804E0164A200

Name: TDK B82804E0164A200
Brand: EPCOS / TDK
SKU: 871-B82804E0164A200
Price: 4.35 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

871-B82804E0164A200

Herst.- Nr.:

B82804E0164A200

Herst.:

EPCOS / TDK

Beschreibung:

Netztransformatoren Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

B82804E0164A200 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	2,92 €	1.460,00 €
	2,88 €	2.880,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	TDK
Produktkategorie:	Netztransformatoren
RoHS:
Produkt:	Power Transformers
Montageart:	SMD/SMT
Primärgewinde:	Single Primary Winding
Sekundärgewinde:	Dual Secondary Winding
Länge:	11.45 mm
Breite:	10.7 mm
Höhe:	10.55 mm
Serie:	EP9
Marke:	EPCOS / TDK
Induktivität:	260 uH
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Betriebsfrequenz:	100 kHz to 400 kHz
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	Power Transformers
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transformers
Montage:	SMD/SMT
Wicklungsverhältnis:	1:2.8:1.53
Typ:	Half Bridge

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PCN

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USHTS:: 8504312000
JPHTS:: 850431000
ECCN:: EAR99

EP9 IGBT-Gate-Drive-Transformatoren

Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 von EPCOS/TDK sind kompakte Bauteile, die auf einem MnZn-Ferritkern in SMD-L-Pin-Bauweise aufgebaut sind.Diese Transformatoren bieten eine ausgezeichnete Isolierung, minimale Kopplungskapazität und eine hohe thermische Widerstandsfähigkeit. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 unterstützen Halbbrücken- oder Push-Pull-Topologien. Diese Transformatoren zeichnen sich durch eine geringe Kopplungskapazität von 2 pF und eine Luftstrecke von ≥ 5 mm (kumulativ und Kern schwebend) aus. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 arbeiten in einem Frequenzbereich von 100 kHz bis 400 kHz und einem Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C. Diese Transformatoren sind RoHS-konform und AEC-Q200-qualifiziert. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 sind speziell für IGBT- und FET-Gate-Treiber-Schaltungen ausgelegt. Zu den typischen Applikationen gehören isolierte DC/DC-Wandler, isolierte AC/DC-Wandler und Gate-Treiber-Schaltungen.