MMBT3904T RSG

Taiwan Semiconductor
821-MMBT3904TRSG
MMBT3904T RSG

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor

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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
NPN
Single
200 mA
40 V
60 V
6 V
300 mV
150 mW
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marke: Taiwan Semiconductor
Kollektorgleichstrom: 200 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 30
DC Stromverstärkung hFE max.: 300
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

MMBT3904T NPN Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3904T NPN Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with 60V of collector-to-base voltage (VCBO), 40V of collector-to-emitter voltage (VCEO), and 6V of emitter-to-base voltage (VEBO). The MMBT3904T NPN transistor features a collector current of 200mA and a power dissipation (PD) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.