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SQJQ140E-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ140E-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJQ140E-T1_GE3
Price: 3.71 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJQ140E-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJQ140E-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQJQ140E-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3,71 €	3,71 €
	2,49 €	24,90 €
	1,76 €	176,00 €
	1,62 €	810,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	1,38 €	2.760,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK 1212-8W-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	701 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	530 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.3 V
Qg - Gate-Ladung:	288 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	600 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	48 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	117 ns
Serie:	SQJQ
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	93 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	39 ns

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SQJQ140E-T1_GE3 Datenblatt

Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

PowerPAK® 1212-MOSFETs

Die POWERPAK ® 1212 MOSFETs von Vishay eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen, verfügen über einen Einschaltwiderstand von ca. 1 m,Ω und können bis zu 85A verarbeiten. Das Vishay POWERPAK 1212 führt eine Gehäusetechnologie ein, um das Risiko einer Verschlechterung von Hochleistungs-Chips zu verringern. Dieses Gehäuse bietet eine extrem niedrige thermische Impedanz in einem kompakten Design, wodurch es sich hervorragend für Applikationen mit eingeschränktem Platz eignet.

SQJQ Automotive-MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive-MOSFETs sind TrenchFET^®-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind 100 % Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS). Die SQJQ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und arbeiten in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem vollständig bleifreien (Pb) PowerPAK^® -8x8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive, Motormanagement, Motorantriebe/-aktoren, Karosseriesysteme und Batteriemanagement.