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SQJQ112E-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJQ112E-T1_GE3
Price: 3.97 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJQ112E-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJQ112E-T1_GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQJQ112E-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3,97 €	3,97 €
	2,62 €	26,20 €
	1,87 €	187,00 €
	1,74 €	870,00 €
	1,62 €	1.620,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	1,47 €	2.940,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK 8 x 8L-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	296 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.53 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	181 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	600 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Serie:	SQJQ
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	67 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SQJQ Automotive-MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive-MOSFETs sind TrenchFET^®-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind 100 % Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS). Die SQJQ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und arbeiten in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem vollständig bleifreien (Pb) PowerPAK^® -8x8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive, Motormanagement, Motorantriebe/-aktoren, Karosseriesysteme und Batteriemanagement.