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XPQR3004PB,LXHQ

Name: Toshiba XPQR3004PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPQR3004PBLXHQ
Price: 5.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-XPQR3004PBLXHQ

Herst.- Nr.:

XPQR3004PB,LXHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs L-TOGL N-CH 40V 400A

Datenblatt:

XPQR3004PB,LXHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	5,87 €	5,87 €
	4,21 €	42,10 €
	3,22 €	322,00 €
	3,13 €	3.130,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	3,08 €	4.620,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	L-TOGL-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	400 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	470 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	295 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	750 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Abfallzeit:	130 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	65 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	395 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	120 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

Die Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q101 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Drainstrombelastbarkeit und eine hohe Dissipation. Dies wird durch die Kombination von hoch-wärmeleitfähigen Gehäusen [L-TOGL (Large-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen) und S-TOGL (Small-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen)] mit den Chipprozessen U-MOS IX-H und U-MOS XH erreicht. Die L-TOGL- und S-TOGL-MOSFETs von Toshiba bieten außerdem Hochstromfähigkeit und sind für die Leitfähigkeit von hohen Temperaturen ausgelegt, um die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Fahrzeuganwendungen zu verbessern. Das L-TOGL-Gehäuse ist in seiner Größe mit dem vorhandenen TO-220SM(W)-Gehäuse vergleichbar. Allerdings verbessert XPQR3004PB den Nennstrom erheblich und senkt den Einschaltwiderstand auf 0,23 mΩ (typisch). Der optimierte Footprint der L-TOGLs trägt auch dazu bei, die thermischen Eigenschaften im Vergleich zum TO-220SM(W)-Gehäuse in gleicher Größe zu verbessern.

XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

Der Toshiba XPQR3004PB 40 V MOSFET hat einen RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch), eine Fähigkeit von 400 A und eine Schwellenspannung (V_th) von 2 V bis 3 V. Weitere Funktionen umfassen eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C und einen maximalen Ableitstrom von 10 µA (V_DS= 40 V). Der XPQR3004PB MOSFET von Toshiba wird in einem L-TOGL-Gehäuse angeboten, das eine thermische Impedanz von 0,2 °C/W und 750 W Verlustleistung bietet. Dieses Gerät ist AEC-Q101 zertifiziert und ideal für Fahrzeuganwendungen, Schaltspannungsregler, Motortreiber und DC/DC-Wandler.