747-IXFT320N10T2 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
945Auf Lager
3.510Auf Bestellung
22,45 €
15,82 €
14,57 €
14,52 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Cut-Tape
22,45 €
17,97 €
14,52 €
Reel
14,52 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 400
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel, Cut Tape