2n532 Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Microchip Technology 2N5321
Microchip Technology Bipolartransistoren - BJT 75 V Power BJT
Datenblatt
123Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Si Through Hole NPN Single 2 A 50 V 75 V 5 V 800 mV 10 W - 65 C + 200 C Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT . .
Datenblatt
507Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-39 NPN Single 2 A 50 V 75 V 5 V 800 mV 10 W 50 MHz - 65 C + 200 C Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT . .
Datenblatt
149Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-39 PNP Single 2 A 50 V 75 V 5 V 800 mV 10 W 50 MHz - 65 C + 200 C Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W
Datenblatt
2.437Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-39 PNP Single 2 A 75 V 100 V 6 V 500 mV 10 W 50 MHz - 65 C + 200 C Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN Ampl/Switch
Datenblatt
3.956Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-39 NPN Single 2 A 75 V 100 V 6 V 500 mV 10 W 50 MHz - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology 2N5322E3
Microchip Technology Bipolartransistoren - BJT Power BJT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 48 Wochen
Min.: 100
Mult.: 1
Microchip Technology 2N5320
Microchip Technology Bipolartransistoren - BJT Custom Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology 2N5329
Microchip Technology Bipolartransistoren - BJT Power BJT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 100
Mult.: 1
Si NPN
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 75Vcbo 75Vcev 50Vceo 5.0Vebo 10W
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-39-3 NPN Single 50 V 75 V 5 V 800 mV 10 W 50 MHz - 65 C + 200 C 2N5321 Bulk
Microchip Technology 2N5327
Microchip Technology Bipolartransistoren - BJT Power BJT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 100
Mult.: 1
Si NPN
Microchip Technology 2N5328
Microchip Technology Bipolartransistoren - BJT Power BJT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 100
Mult.: 1
Si NPN
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 75 V 100 V 6 V 500 mV 10 W 50 MHz - 65 C + 200 C 2N5322 Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT PNP 75Vcbo 75Vceo 50Vceo 5.0V 10W
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 50 V 75 V 5 V 500 mV 10 W 50 MHz - 65 C + 200 C 2N5323 Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 100Vcbo 100Vcev 75Vceo 6.0Vebo 10W
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-39-3 NPN Single 75 V 100 V 6 V 500 mV 10 W 50 MHz - 65 C + 200 C 2N5320 Bulk