2N3904TA Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt
29.158Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt
13.708Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt
91.740Auf Lager
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: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
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65.251Auf Lager
130.000Auf Bestellung
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Max.: 1.900

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Bulk
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 40V 200mA
Datenblatt
7.792Auf Lager
6.000erwartet ab 04.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape