2N3904TA Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt
25.851Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 4.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt
12.486Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt
145.042Auf Lager
70.000erwartet ab 18.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.900

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Bulk
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt
95.877Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 40V 200mA
Datenblatt
4.218Auf Lager
26.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.000
: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape