GP3T080A120H

Name: SemiQ GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T080A120H
Price: 5.28 EUR
Availability: InStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP3T080A120H

Herst.- Nr.:

GP3T080A120H

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Lebenszyklus:

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GP3T080A120H Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	147 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	GP3T
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

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GP3T080A120H

Herst.: SemiQ

Beschreibung: SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

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