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GCMS008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS008C120S1-E1
Price: 39.54 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMS008C120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMS008C120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

GCMS008C120S1-E1 Datenblatt (PDF)

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	34,35 €	343,50 €
	30,04 €	3.604,80 €
25.020	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	189 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	536 W
Serie:	GCMS
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	34 ns
Höhe:	12.19 mm
If - Durchlassstrom:	176 A
Länge:	38.1 mm
Produkt:	Power Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	91 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Vf - Durchlassspannung:	2.03 V
Breite:	25.3 mm

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Datenblatt

GCMS008C120S1-E1 Datenblatt (PDF)

GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET-Leistungsmodule

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.