GaN Halbleiter

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Menge RoHS
Power Integrations AC/DC-Wandler 90 W (85-265 VAC)
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: 2.000

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
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Power Integrations AC/DC-Wandler 65 W (85-265 VAC)
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Power Integrations AC/DC-Wandler 45 W (85-265 VAC)
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onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi AC/DC-Wandler ACTIVE CLAMP FLYBACK
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2.322Auf Lager
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: 2.500

Texas Instruments Gate-Treiber 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
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Texas Instruments Gate-Treiber 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
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Texas Instruments Gate-Treiber 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
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2.000Auf Lager
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Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
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: 250

Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
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: 250

MACOM HF-Verstärker GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
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Qorvo GaN FETs DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
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Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
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355Auf Lager
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: 2.000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
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: 1.300

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
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STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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: 1.800

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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: 3.000

Analog Devices HF-Verstärker 1-22GHz 15W PA
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EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
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1.926Auf Lager
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: 2.500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
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: 1.000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
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1.903Auf Lager
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: 2.500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
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: 2.500

Infineon Technologies Gate-Treiber 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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2.352Auf Lager
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: 3.000

Infineon Technologies Gate-Treiber 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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2.391Auf Lager
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: 3.000

Infineon Technologies Gate-Treiber 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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2.100Auf Lager
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