GaN Halbleiter

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Menge RoHS
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Mini-Circuits HF-Verstärker SMT MMIC, Low Noise, Linear, pHEMT Amplifier, 500 MHz to 2500 MHz, 50ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

CML Micro HF-Verstärker 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.200
Mult.: 1.200

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.250
Mult.: 1.250

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

STMicroelectronics Gate-Treiber 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.560
Mult.: 1.560

STMicroelectronics Gate-Treiber High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.560
Mult.: 1.560

STMicroelectronics Gate-Treiber 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.560
Mult.: 1.560

STMicroelectronics Gate-Treiber High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

STMicroelectronics Gate-Treiber High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000