GaN Halbleiter

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Analog Devices HF-Verstärker GaN Driver Ampllifier Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
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: 500

Analog Devices HF-Verstärker 9.3-9.5 GHz GaN PA
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
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Analog Devices HF-Verstärker 9.3-9.5 GHz GaN PA
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
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Analog Devices HF-Verstärker High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
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Texas Instruments Gate-Treiber 650V 105mohm GaN hal f-bridge with integ
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 650V 95mohm GaN half -bridge with integr Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 600V 30mohm GaN FET with integrated driv Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 600V 50mohm GaN FET with integrated driv Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 650V 25m? TOLL-packa ged GaN FET with in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 650V 35m? TOLL-packa ged GaN FET with in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Texas Instruments Gate-Treiber 650V 70m? TOLL-packa ged GaN FET with in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Fairview Microwave HF-Verstärker 4.4 GHz to 5.1 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 10W Psat, 10dB Tx Gain, 20% Efficiency, 2 microsec speed, Manual T/R Control Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Qorvo GaN FETs DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
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Power Integrations AC/DC-Wandler 85 W (85-265 VAC) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
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Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
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Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.300
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Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
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Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
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