TO-3P-3 Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 102 Amps 250V 29 Rds Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 31 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 30 Amps 500V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 32A P-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3