TO-3P-3 Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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IXYS MOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
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68Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
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232Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
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376Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
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130Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
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216Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
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268Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
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274Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
Datenblatt
248Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3


Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
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25Auf Lager
500Auf Bestellung
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Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT PNP 230V 15A
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263Auf Lager
5.000Auf Bestellung
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors Gleichrichter Dual ultrafast power diode
Datenblatt
474Auf Lager
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Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 30 Amps 600V
Datenblatt
305erwartet ab 22.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 40 Amps 500V
Datenblatt
300erwartet ab 25.01.2027
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Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Bipolartransistoren - BJT 200 W BETA AUDIO
Datenblatt
3.021erwartet ab 15.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 40

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCRs Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
Datenblatt
26erwartet ab 19.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCRs 50 Amp 800 Volt
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
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SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Kleinsignal-Schaltdioden 20 Amps 600V
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Kleinsignal-Schaltdioden 60 Amps 400V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3