BGA-168 Halbleiter

Arten von Halbleitern
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low Power Blackfin Processor
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Power Blackfin Processor
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1Auf Lager
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low-Power BF proc w/consumer connectivty
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22Auf Lager
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low Power Blackfin Processor
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9Auf Lager
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ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
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155Auf Lager
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low Power Blackfin Processor
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29Auf Lager
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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
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855erwartet ab 29.01.2027
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ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
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4.152erwartet ab 01.07.2026
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low Power Blackfin Processor
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low-Power BF proc w/consumer connectivty
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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Mult.: 36

Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low-Power BF proc w/consumer connectivty
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low-Power BF proc w/consumer connectivty
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low Power Blackfin Processor
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 34
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Analog Devices Digitale Signalprozessoren und Controller - DSP, DSC Low Power Blackfin Processor
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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STMicroelectronics ARM Mikrocontroller - MCU High-performance advanced line, Arm Cortex-M4 core DSP & FPU, 2 Mbytes of Flash
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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: 1.500

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
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