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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500

ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI NAND-Flash 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500


ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3, 256Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3, 256Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht auf Lager
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500