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Menge RoHS
GigaDevice GD5F4GM8UEBIGY
GigaDevice NAND-Flash
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Min.: 4.800
Mult.: 4.800

GigaDevice GD5F4GM8UEYJGR
GigaDevice NAND-Flash
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Nicht auf Lager
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

GigaDevice GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
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Min.: 2.100
Mult.: 2.100

GigaDevice GD9FS4G8F4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
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Nicht auf Lager
Min.: 960
Mult.: 960

GigaDevice GD9FU4G8F3ALGJ
GigaDevice NAND-Flash Nicht auf Lager
Min.: 2.100
Mult.: 2.100

GigaDevice GD9FU4G8F3AMG2
GigaDevice NAND-Flash Nicht auf Lager
Min.: 960
Mult.: 960

GigaDevice GD9FU4G8F3AMGJ
GigaDevice NAND-Flash Nicht auf Lager
Min.: 960
Mult.: 960

GigaDevice GD9FU4G8F4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2.100
Mult.: 2.100

GigaDevice GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 960
Mult.: 960

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.420
Mult.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.420
Mult.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.420
Mult.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.420
Mult.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.420
Mult.: 2.420

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500