NSS12100UW3TCG

onsemi
863-NSS12100UW3TCG
NSS12100UW3TCG

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN3
PNP
Single
1 A
12 V
12 V
5 V
400 mV
1.1 W
200 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS12100UW
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 9,300 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Malaysia
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Low Vce(sat) Bipolar Junction Transistors

Family of Vce(sat) BJT devices feature low-saturation voltage and high-current gain.

e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.

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