PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET
Nexperia PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET ist ein Surface-Mount-Device mit niedriger Schwellenspannung. Diese 30-V-Feld-Effekt-Transistoren (FET) vom Anreicherungstyp hat ein freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung und ESD-Schutz. Typische Applikationen umfassen Relaistreiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise. Die PMDXB550UNE MOSFET wurde mit Trench-MOSFET-Technologie entwickelt und ist in einem drahtlosen, sehr kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) Kunststoff-Gehäuse verfügbar.
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