PMDXB550UNEZ

Nexperia
771-PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PMDXB550UNE/SOT1216/DFN1010B-6

ECAD Model:
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
30 V
590 mA
670 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.05 nC
- 55 C
+ 150 C
4.03 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 600 mS
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4 ns
Artikel # Aliases: 934069326147
Gewicht pro Stück: 1,290 mg
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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET

Nexperia  PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET ist ein Surface-Mount-Device mit niedriger Schwellenspannung. Diese 30-V-Feld-Effekt-Transistoren (FET) vom Anreicherungstyp hat ein freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung und ESD-Schutz. Typische Applikationen umfassen Relaistreiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise. Die PMDXB550UNE MOSFET wurde mit Trench-MOSFET-Technologie entwickelt und ist in einem drahtlosen, sehr kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) Kunststoff-Gehäuse verfügbar.