TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers

Qorvo TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers operate from 2.7GHz to 3.5GHz and are designed using Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). The TGA2830 and TGA2975 can operate under both pulse and CW conditions and are ideally suited for commercial and defense related radar applications. Both RF ports on these devices have integrated DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. 

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Menge RoHS ECAD Model Betriebsfrequenz
Betriebsversorgungsspannung
Betriebsversorgungsstrom
Verstärkung
Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Technologie
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Qorvo HF-Verstärker 2.7-3.5GHz 12W GaN PAE > 52% Gain 31dB
Datenblatt
358Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 20 V to 32 V 175 mA 31 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN - 40 C + 85 C TGA2975 Waffle
Qorvo HF-Verstärker 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5dB
Datenblatt
22Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 20 V to 32 V 225 mA 30.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Waffle
Qorvo HF-Verstärker 2.7-3.5 GHz, 18 W GaN PA
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
2.7 GHz to 3.5 GHz 30.5 dB SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Reel
Qorvo TGA2975-SMTR7
Qorvo HF-Verstärker 2.7-3.5 GHz, 12 W GaN PA
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

TGA2975 Reel