SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs sind 650 V Hochgeschwindigkeits-Schaltungs-SiC-MOSFETs. Diese MOSFETs nutzen die SiC-MOSFET-Technologie, eignen sich hervorragend für Hochspannungsapplikationen und bieten einen zuverlässigen Betrieb in rauen Industrieumgebungen. Die SICWx MOSFETs sind mit niedrigem RDS(on) und niedriger Gate-Ladung ausgelegt, um Schaltverluste zu reduzieren und zu einem höheren Gesamtsystemwirkungsgrad beizutragen. Das leistungssteigernde Design und das TO-247-Gehäuse liefern eine hervorragende thermische Leistung, während die 3-Pin- oder 4-Pin-Optionen (Kelvin-Source-Pin) die Vielseitigkeit verbessern. Die SICWx MOSFETs haben ein robustes Design und sind Avalanche-fähig, um ein besseres Wärmemanagement und einen besseren Wirkungsgrad zu ermöglichen. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für den Einsatz in Netzteilen, Telekommunikation, erneuerbaren Energiesystemen und Motorantrieben.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
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177Auf Lager
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Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
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360Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
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336Auf Lager
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Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
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355Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
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337Auf Lager
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Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Datenblatt
360Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement