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NVMFWS003N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS003N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS003N10MCT1G
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFWS003N10MCT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS003N10MCT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL HE

Datenblatt:

NVMFWS003N10MCT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	3,65 €	3,65 €
	2,40 €	24,00 €
	1,69 €	169,00 €
	1,55 €	775,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	1,35 €	2.025,00 €
	1,31 €	11.790,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	169 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	62 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	194 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	150 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	NVMFWS003N10MC
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns

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Datenblatt

NVMFWS003N10MCT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMFWS003N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Einkanal-Leistungs-MOSFETs NVMFWS003N10MC von onsemi bieten einen Dauersenkenstrom von 169 A, einen R_DS(ON) von 3,1 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Der NVMFWS002N10MCL ist in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.