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SISH892BDN-T1-GE3

Name: Vishay SISH892BDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISH892BDN-T1-GE3
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISH892BDN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISH892BDN-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SISH892BDN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,09 €	1,09 €
	0,688 €	6,88 €
	0,455 €	45,50 €
	0,354 €	177,00 €
	0,322 €	322,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,28 €	840,00 €
	0,267 €	1.602,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	17.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	29 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	33 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	SISH
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

SISH892BDN 100-V-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SISH892BDN 100-V-n-Kanal-MOSFET ist ein TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET, der zu 100 % R_g- und UIS-getestet ist. Der SISH892BDN MOSFET bietet 100 V V_DS, 20 A I_D und 8 nC Q_g. Der SISH892BDN MOSFET von Vishay/Siliconix ist in einem PowerPAK® 1212-8SH-Gehäuse erhältlich und verfügt über einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.