Lötverbindungs-Power-Block IGBT-Module

Infineon Lötverbindungs-Power-Block IGBT-Module bestehen aus einer Lötverbindungs-Technologie, welche die spezifischen Anforderungen der wirtschaftliche Anwendungen umsetzt. Diese neuen Powermodule erweitern sein bereits umfassendes Leistungsmodul-Portfolio, das bisher nur Druckkontakte verwendete. Mit Marktpreisen von rund 25 Prozent (je nach Modul/Anwendung) weniger als zugehörige Druckkontaktvarianten bieten die Lötverbindungs-Module deutliche Kostenvorteile gegenüber Modulen mit kleineren Gehäusegrößen von bis zu 50 mm. Die kleinen Löt-PowerBlock-Module sind ideal für Anwendungen wie Standard-Laufwerke oder USV, wo die hohe Robustheit der Druckkontakte nicht unbedingt ein Muss ist.
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Arten von diskreten Halbleitern

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Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule 20mm Solder Bond Thyristor/Diode 5Auf Lager
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Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies Thyristor-Module 20mm Solder Bond Thyristor Module 30Auf Lager
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Thyristor Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies Diodenmodule L#T-BOND MODULE 18Auf Lager
16erwartet ab 16.02.2026
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Diode Modules Si Screw Mount PB34
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule L#T-BOND MODULE 1Auf Lager
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Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount PB34
Infineon Technologies Diodenmodule 20mm Solder Bond Rectifier Diode
432Auf Bestellung
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Diode Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies Thyristor-Module 20mm Solder Bond Thyristor Module
72erwartet ab 18.06.2026
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Thyristor Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies Thyristor-Module L#T-BOND MODULE
104erwartet ab 02.04.2026
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Thyristor Modules Si Screw Mount PB34
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule L#T-BOND MODULE
16erwartet ab 20.02.2026
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Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount PB34
Infineon Technologies Thyristor-Module L#T-BOND MODULE
3erwartet ab 20.02.2026
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Thyristor Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule 20mm Solder Bond Thyristor/Diode Vorlaufzeit 30 Wochen
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Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount