BJT Bipolartransistoren im DFN-Gehäuse

Nexperia BJT DFN-Gehäuse Leistungsbipolartransistoren bieten einen kleinen Formfaktor, der etwa 75 % weniger Platinenfläche benötigt und mehr Designflexibilität ermöglicht.   Diese bipolaren Transistoren verfügen über eine reduzierte parasitäre Induktivität und Kapazität mit einem verbesserten, niedrigen thermischen Widerstand, wodurch eine höhere Zuverlässigkeit ermöglicht wird. Die BJT-Komponenten eignen sich hervorragend für Applikationen, bei denen der Platz begrenzt ist. Zu den Applikationen gehören mobile Geräte, Wearables, Automotive-Sensoren und Kameramodule.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT BC56-10PA-Q/SOT1061/HUSON3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN Single 80 V 100 V 5 V 500 mV 1.35 W 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT BC56-10PAST-Q/SOT1061/HUSON3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-1061D-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 500 mV 1 W 100 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel