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RV7E035ATTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV7E035ATTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV7E035ATTCR1
Price: 0.68 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RV7E035ATTCR1

Herst.- Nr.:

RV7E035ATTCR1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

RV7E035ATTCR1 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0,688 €	0,69 €
	0,425 €	4,25 €
	0,28 €	28,00 €
	0,22 €	110,00 €
	0,188 €	188,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,157 €	471,00 €
	0,143 €	858,00 €
	0,132 €	1.188,00 €
	0,129 €	3.096,00 €

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN1212-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	78 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	4.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns

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Datenblatt

RV7E035ATTCR1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Der ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET ist ein kompaktes Hochleistungs-Bauteil, das für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist. Der RV7E035AT ist in einem platzsparenden TUMT3-Gehäuse untergebracht und bietet hervorragende Schalteigenschaften und einen niedrigen Einschaltwiderstand, wodurch er sich hervorragend für tragbare und batteriebetriebene Elektronik eignet. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von -30 V, einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von -3,5 A und einen niedrigen On-Widerstand [R_DS(on)] von nur 47 mΩ bei V_GS = -4,5 V, um ein effizientes Leistungsmanagement und eine minimale Wärmeerzeugung zu gewährleisten. Der RV7E035AT von ROHM Semiconductor ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen optimiert und eignet sich hervorragend für Lastschaltungen, DC-DC-Wandler und Energiemanagementschaltungen in kompakten elektronischen Geräten. Ein robustes Design und ein thermischer Wirkungsgrad unterstützen auch einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.