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NSVMSD1819A-RT1G

Name: onsemi NSVMSD1819A-RT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMSD1819A-RT1G
Price: 0.23 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVMSD1819A-RT1G

Herst.- Nr.:

NSVMSD1819A-RT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 50V

Datenblatt:

NSVMSD1819A-RT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	0,073 €	73,00 €
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	0,038 €	228,00 €
	0,032 €	288,00 €
	0,027 €	648,00 €

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	200 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	60 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	60 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	500 mV
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MSD1819A-R
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	100 mA
DC Stromverstärkung hFE max.:	340
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSVMSD1819A-RT1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger VCE

Der onsemi MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger V_CE ist für Verstärkerapplikationen ausgelegt. Dieser NPN-Transistor verfügt über eine hohe Stromverstärkung (H_FE) von 210 bis 460 und eine niedrige V_CE <0,5 V Der NPN-Transistor wird in einem SC-70-/SOT-323-Gehäuse geliefert, das für stromsparende Applikationen zur Oberflächenmontage ausgelegt ist. Der epitaktische Silizium-Planar-Transistor ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser Transistor mit niedriger V_CE ist blei- und halogen-/BFR-frei. Zu den typischen Applikationen gehören Batterie-Verpolungsschutz, DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber und Hochgeschwindigkeitsschaltung.