1EDB7275FXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDB7275FXUMA1
1EDB7275FXUMA1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber ISOLATED DRIVER

ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
1,54 € 1,54 €
1,13 € 11,30 €
1,02 € 25,50 €
0,912 € 91,20 €
0,852 € 213,00 €
0,683 € 341,50 €
0,636 € 636,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
0,614 € 1.535,00 €
0,606 € 4.545,00 €
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Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
9.8 A
3 V
15 V
8.3 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Handelsname: EiceDRIVER
Artikel # Aliases: 1EDB7275F SP005351350
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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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CoolGaN™ Galliumnitrid-HEMTs

Die CoolGaN™ Galliumnitrid-HEMT von Infineon bieten gegenüber Silizium entscheidende Vorteile, einschließlich hoher Wirkungsgrad, hervorragende Zuverlässigkeit, Leistungsdichte und die höchste Qualität. CoolGaN-Transistoren sind mit der zuverlässigsten Technologie ausgestattet, die für den höchsten Wirkungsgrad und die höchste Leistungsdichte in Schaltnetzteilen ausgelegt ist. Die Bauteile arbeiten mit einer Erweiterungsmodus-Gate-Antriebsvorspannung, die einen Gap-GaN-Gate-Aufbau verwendet, ähnlich wie herkömmliche Silizium-MOSFETs.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.